據(jù)中國(guó)科學(xué)院微電子研究所官微消息，中國(guó)共產(chǎn)黨黨員，中國(guó)科學(xué)院院士，我國(guó)杰出的微電子科學(xué)家，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所研究員，原中國(guó)科學(xué)院微電子中心主任，第九屆、第十屆全國(guó)人民代表大會(huì)常務(wù)委員會(huì)委員吳德馨同志，因病醫(yī)治無(wú)效，于2026年3月23日13時(shí)15分在北京逝世，享年90歲。

　　公開資料顯示，吳德馨，女，1936年出生，河北樂(lè)亭縣人。1961年畢業(yè)于清華大學(xué)無(wú)線電電子工程系。中國(guó)科學(xué)院微電子所研究員。1991年當(dāng)選為中國(guó)科學(xué)院院士(學(xué)部委員)。

　　20世紀(jì)60年代初，吳德馨作為主要負(fù)責(zé)人之一，在國(guó)內(nèi)首先研究成功硅平面型高速開關(guān)晶體管，所提出的提高開關(guān)速度的方案被廣泛采用，并向全國(guó)推廣。60年代末期研究成功介質(zhì)隔離數(shù)字集成電路和高阻抗運(yùn)算放大器模擬電路。

　　吳德馨在20世紀(jì)70年代末研究成功MOS4K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。在國(guó)內(nèi)首先將正性膠光刻和干法刻蝕等技術(shù)用于大規(guī)模集成電路的研制，并進(jìn)行了提高成品率的研究。首先在國(guó)內(nèi)突破了LSI低下的局面。隨后又相繼研究成功16K位和64K位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。開發(fā)成功雙層多晶硅和差值氧化工藝，獨(dú)創(chuàng)了檢測(cè)腐蝕接觸孔質(zhì)量的露點(diǎn)法。

　　隨后，吳德馨在20世紀(jì)80年代末期自主開發(fā)成功3微米CMOSLSI全套工藝技術(shù)，用于專用電路的制造。研制成功多種專用集成電路并研究開發(fā)成功VDMOS系列功率場(chǎng)效應(yīng)器件和砷化嫁異質(zhì)結(jié)高電子遷移率晶體管。20世紀(jì)90年代研究成功0.8微米CMOSLSI工藝技術(shù)，和0.1微米T型柵GaAsPHEMT器件。